为什么SLC芯片始终是工业级存储的唯一基准?

转载: Yesky天极新闻 2018-11-30
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每一次NAND技术变革,都会使得闪存产品尺寸进一步趋向微型化,同时不断压缩制造成本。

目前,商业级闪存市场重点布局消费类数码设备,例如数码摄录机、手机与移动多媒体播放器等,在使用过程中基本不涉及极端温差与电压波动相关因素,其主要关注点聚焦于价格与容量。因此,普通用户逐渐满足于“更先进制程”所造就的TLC甚至QLC芯片闪存产品,市场导向之下,越来越多的厂商也开始尝试用最低成本满足最高容量设计,转而大举投向商业级高密度闪存产品的研发生产。

然而,在有着严格准入机制的工业级市场,天硕(TOPSSD)始终确信SLC芯片是高品质存储的唯一基准,并坚持在旗下全线工业产品中定制使用。

为什么工业存储有必要采用SLC芯片

一般半导体技术,其制程、架构越新,性能随之越高,而在闪存领域却截然相反——从SLCMLCTLCQLC,以至3D NAND技术更迭,闪存密度和容量不断增加的同时,寿命及性能都不可避免的大幅度缩水,种种因素相互影响之下,导致新型闪存技术愈发背离工业存储对产品提出的基本要求。

稳定可靠

工业存储模组常被用于安装操作系统,一旦发生数据错误,将有可能影响整个生产流程,损失难以估量。SLC机制特性决定,每个单元存储一位二进制数据(即1bit),其浮栅编程电路只需识别/放置两种电荷状态,这种精简的存储方式最大程度降低了数据错误的发生概率;相较之下,更新的MLCTLC机制由于浮栅编程电路需要识别/放置4至8种电荷状态,需要更复杂且耗时更久的处理逻辑,精度与效率降低,同时,由于密度的增高,临近存储单元之间的干扰也更大,在反复的擦写或温度变化中,阀值电压可能上升超过参考值,继而发生感应错误,稳定性大打折扣,势必无法被工业设备认可;

耐力持久

任何一种闪存储存单元的编程过程,本质都是氧化膜物理损耗的过程,循环编程/擦除次数增加,损耗将不断累加,这就导致区分编程/擦除状态的电压变化,当两者趋于等量时就会发生读取错误。在此前提下,SLC芯片具有100000次以上循环擦写寿命,远高于3D NAND技术下MLC(1000~2000次)及TLC(200~500次),对于长耐力与长产品生命周期的工业应用而言,SLC无疑是最佳选择;

更低功耗

有时为了提供实时监测数据,小微型智能无线卷标被广泛使用在工业应用当中,这些无线传感装置依靠容量有限的电池或能源收集(energy harvesting)供电,以维持长时间的数据存储与传输,因此需要各部位组件尽可能降低功耗,保障设备在规定的工作周期内持续运行。相应的,SLC芯片由于其精简的存储机制,功耗方面比MLC低15%以上,在对能效有硬性要求的特定工业应用中,SLC芯片无疑占据绝对优势。

总结

商业级闪存市场对存储质量关注度有限,低价格、高容量需求指导着普通用户的购买行为;而在工业领域,存储装置的性能、耐力以及可靠性关乎整个生产系统命脉,不容任何差错。因此,天硕及众多合作伙伴始终确信:拥有最佳品质的SLC芯片更加贴近工业级市场需求,是工业级存储唯一基准。

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