内存模组大厂威刚科技董事长陈立白今日表示，日韩贸易战可能蔓延至第二波对半导体设备的管制，使得半导体供应链短期问题难解，加上市场库存降低，带动内存价格反弹行情更为扎实，预计这波可延续涨到11月，公司也已备妥库存因应。

先前因东芝停电事件加上7月初，日本政府对韩国出口管制3项关键电子材料，带动NAND Flash及DRAM两大内存价格反弹。威刚科技董事长陈立白指出，日韩贸易战带动两大内存现货价格提前于6月底落底，自7月起至目前累积涨幅已约为20%，预期带动此波内存价格由小反弹变成中期的反弹格局，有机会逐步反弹至11月，累积弹幅可望达3~4成。

整体而言，今年DRAM及NAND Flash的现货价低点都已在6月出现，合约价也将于7月出现低点，8月将可望回升。

威刚科技董事长陈立白进一步分析，日本政府继本月初对韩国出口管制3项关键电子材料后，下一个对韩出口管制目标可能是半导体的制造设备，同时，须关注下周8月2日，韩国恐遭日本政府自贸易白色名单上除名，使得半导体供应链更为紧张。

另一方面，陈立白说，先前东芝停电事件冲击比想像更为严重，东芝近来产线未能恢复正常，一直在消化库存，使得NAND Flash本波涨势更为强劲，累积已涨二成多；观察DRAM在韩国的三星、海力士及美国的美光三大厂纷纷减产及延后扩产后，目前库存也已下降，现货价涨近二成，预期合约价将逐步跟上涨势。

威刚董事长陈立白认为，此次日韩贸易战对全球科技产业影响严重，公司已于7月在两大内存价格反弹前抢先布局货源，也呼吁客户应提前备妥库存。