三星电子在美国硅谷创建了一个新的实验室，专注于开发下一代3D DRAM。

新实验室由总部位于硅谷的Device Solutions America (DSA) 负责运营，该机构负责三星在美国的半导体生产，并将致力于开发升级的DRAM模型，以使三星能够引领全球3D存储芯片市场。

去年10月，三星表示正在为10nm以下DRAM准备新的3D结构，从而实现更大的芯片容量，单颗芯片容量可以超过100GB。

2013年，三星在业界首次成功实现3D垂直NAND闪存芯片的商业化。

分析师预计3D DRAM市场将在未来快速增长，2028年将达到1000亿美元。

三星和其他主要内存制造商正在激烈竞争，以占据这一快速增长的市场。

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