美系外资最近出具最新报告表示，6 月是DRAM 合约价格低点，供应紧张迅速改变了供需动态，有助于推动第三季的平衡，合约价格很可能从第四季起出现拐点上升。至于库存问题在第二季也获得大幅改善，预计明年获得缓解。

PC 看起来已经过了低谷，智能手机成长速度虽较慢，但已恢复到正常周期。

AI 部分有超大规模客户正加速支出，并扩大到应用程序开发人员、企业IT 部门，甚至政府。

整体来看，现在不是注意DRAM 周期，而是市场时机，如果不在涨势最好的几周内投资，很可能错过整个周期的收益。

目前机器学习一大瓶颈是处理器的存储器频宽，因此AMD 推出MI300X 芯片、英伟达H100 都在解决这一问题。

根据市场消息，SK 海力士14 日收到英伟达要求HBM3E 存储器样品送测，准备发货。由于市场需求增加，SK 海力士考虑HBM 存储器产能扩增一倍。

美系外资指出，下一个升级是1β 奈米的HBM3E，明年上半年开始量产，速度为8Gbps，功耗降低20%。也因此，目前须对SK 海力士的现金流重新定价，以考虑这个新的整体潜在市场。

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