据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示，铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构，最近升级到162层 BiCS 6。他们计划跳过BiCS 7，转向218层，甚至可能是284层的BiCS 8。美光科技将其128层产品转向CTF CuA集成，并随后发布了176层和232层版本。他们现在正在开发300层以下的Gen7，可能会跃升至4xx 层。

SK海力士的4D PUC结构延续了176层和238层产品，预计明年将推出321层V9，随后将推出3yy层器件。

旺宏电子凭借用于Nintendo Switch的48层芯片进入市场，目前正在开发第二代96层芯片。

未来几年，随着混合键合技术和氧化铪铁电体的进步，我们可能会看到超过500层的3D NAND产品。今年，预计将发布2xx和2yy层3D NAND产品，预示着下一代闪存解决方案。

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