存储原厂业绩回升，纷纷开启扩产建厂潮 ssd新闻存储新闻

存储原厂业绩回升，纷纷开启扩产建厂潮

2024-04-19

阅读量 1190

据《钜亨网》报道，全球半导体产业正逐步走出低谷，随着行情回温，美台韩芯片大厂开始为下一轮上行周期做准备，同时产业链也正在重建，在各国政府大手笔补贴下，芯片大厂纷纷启动新一轮建厂行动，加大布局抢占市场。

在需求缓慢恢复以及价格触及反弹的推动下，全球三大存储芯片厂最新一季的财报都传来喜讯，三星公布的财测数字显示今年第一季营收年增11%至约71万亿韩元，营业利润更大幅年增931%至6.6万亿韩元左右，创2022年第三季以来的最高纪录。

美光也结束连5季亏损，2月为止的第二季营收年增58%至58.2亿美元，季增率亦达23%，净利转亏为盈至7.93亿美元，因DRAM及NAND Flash需求及物价同步上升，SK海力士业绩更早在去年第四季回升，营收年增47.4%至11.3万亿韩元，超过市场最高预期，营业利润3460亿韩元，结束自2022年第四季以来持续的营业亏损。

业绩回升之际，美韩厂商也逐渐恢复产能供给，并在AI浪潮推动下积极推动HBM扩产，三星据悉今年首季在南韩平泽跟中国西安NAND Flash 闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升约30%但对进一步增产仍谨慎以对，希望避免影响NAND Flash的价格涨势，铠侠跟西部数据上月则率先将产能利用率恢复至近九成，可望带动今年NAND Flash产业供给位元年增率达10.9%。

在DRAM方面，根据市场研究机构Omdia报告，三星将今年次季平均每月投片量调升至60万片，月增率13%，下半年料将增至66万片，DRAM产量恢复到减产前水准；SK海力士投片量也逐渐恢复，第二季每月平均投片量从第一季39万片增至41万片，下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。

至于HBM方面，韩国厂商扩产则超过预期，三星高层在「Memcon 2024」全球半导体大会上表示，该公司今年HBM芯片产量将比去年增加2.9倍，高于年初预测的2.4倍，在AI浪潮带动下，高效能内存需求猛涨。

作为HBM技术领先者的SK海力士也在加码高效能内存的投资，月初宣布打算砸下38.7亿美元在美国建造存储先进封装生产基地，预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适用于AI的存储产品。

点击此处关注，获取最新资讯！