近日，首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览在上海召开。在RISC-V创新应用开发者论坛上，记者获悉，中天弘宇公司4F² NOR Flash新一代闪存亮相，这款被命名为“中国闪存”的技术，突破了多年来困扰半导体NOR闪存领域的技术瓶颈，填补了国内空白，引起人们广泛关注。

“我们经过了十几年的研发积累，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新。”中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生告诉记者。

十余年创新之路 颠覆传统技术

中天弘宇研究人员向记者介绍，闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。

中天弘宇研究人员回忆到，2010年，因一位研究人员偶然接错了电路，研发团队便阴差阳错地开启了对NOR的创新之路。经过近十年研发，中天弘宇突破了多年来困扰半导体NOR闪存科技领域的技术瓶颈，最终完成4F² NOR Flash闪存技术的研发，成为一家全面完整拥有4F² NOR Flash闪存核心技术和知识产权的企业。

“通过我们的架构设计完全可以让NOR闪存进入到65nm甚至28nm以下的工艺。” 中天弘宇研究人员告诉记者，相比于更适合大容量应用的NAND闪存，NOR闪存的读取速度要快得多，非常适合芯片内的存储应用，但限于工艺制程，NOR闪存的应用市场比起千亿级的NAND闪存要小得多，很多芯片内还在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技术突破将让NOR闪存变得更具竞争力，通过取代DRAM+NAND的方式可以为芯片带来更高读取速度和更低的内存读取功耗，而后者现在已经成为芯片整体功耗中非常关键的一环。

对于这项创新，NOR Flash发明人、英特尔前副总裁Dr. Stefan Lai认为，这是对他的NOR Flash的革命性创新。

上世纪八十年代，Dr. Stefan Lai发明了NOR，随后被产业化，但由于当时NOR无法继续缩小，发展陷入停滞。“我从来没有想过会有新的东西出现，这是对NOR Flash的颠覆性的发现，解决了很多问题。意义十分重大。”Dr. Stefan Lai告诉记者，“新一代NOR技术的出现，让我看到新的希望。”

中国智造 提升我国芯片自主化水平

如今，这家总部位于上海、专注于集成电路存储芯片领域的企业已拥有了43项国际专利，尚有20多项专利在申请中，构成较完整的知识产权体系。

这项突破性的技术创新将会带来哪些产品的创新？赵泾生告诉记者，目前，中天弘宇已完成1MB NOR的硅验证，并成功流片，2017年开始运用在中天弘宇首颗MCU（微控制单元）产品的设计上，使芯片可在低至1V的电压下工作，低压、低功耗的特性使这款MUC在物联网等应用领域大有可为。

“中国闪存”凭借着强大的性能和价格优势，拥有广阔的市场前景，不但可对现有使用传统NOR闪存的产品进行升级换代，还可以进入中低端功能手机、智能电视、机顶盒、国产平板等消费类智能等电子产品及汽车市场中。随着进一步研发及工艺的优化，新一代NOR闪存将触及NAND闪存的海量存储芯片市场，并将拓展至人工智能领域。

“希望和上下游合作伙伴一起进行制造和工艺攻关，迈出中国闪存更大的一步，提升我国芯片自主化水平。”赵泾生告诉记者。

谈及未来，赵泾生表示，中天弘宇的三大目标，第一是让中国自主研制的存储芯片从无到有，第二是让存储芯片拥有完整的知识产权，第三是进一步完成NOR闪存向1X进军，向3D NOR发展，与产业链上下游厂商实现合作共赢。