根据路透社援引四位知情人士消息称,美国正考虑限制向中国存储器制造商出口美国的芯片制造设备,希望借此来限制中国的半导体产业发展。报道引用不愿透露姓名消息人士的说法指出,如果美国政府确定采取该项计划,除了将打击中国本土存储芯片制造商(如长江存储)外,还可能损害韩国存储大厂三星电子和SK海力士两家公司。原因是三星在中国拥有两家大型工厂,而SK海力士之前也完成收购英特尔旗下在中国的NAND Flash闪存制造业务。因此,一旦美国的限制计划获得批准,则限制范围将扩大到包括禁止将美国芯片制造设备运往在中国进行NAND Flash闪存生产的工厂。据出口管制专家称,这将标志着美国首次通过出口管制来针对中国生产没有专门军事用途的存储芯片。根据两名消息人士表示,根据正在研拟的计划,美国官员将禁止向中国出口用于制造128层堆叠以上NAND Flash闪存的芯片设备。而目前生产该类芯片设备的美国大厂,就包含了科林研发(LAM Research) 以及应用材料( Applied Materials) 等厂商。对此,消息来源指出,目前针对相关计划正在讨论阶段,还没有任何的法案起草程序。美国商务部也不愿评论相关新闻消息,仅指出美国政府的重点是削弱中国制造先进半导体的能力,以应对美国的重大国家安全风险。至于,科林研发、SK海力士和美光也拒绝就美国政策发表评论。三星、应用材料、长江存储、以及西部数据则还没有对相关消息做出回应。
值得注意的是,不到2个月前,中国本土存储芯片制造商长江存储就传出技术方面的重磅消息,消息称其将于年内跳级量产232层NAND(目前业界已量产的最高层数)。(跳转查看详情)
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