美推芯片法案，或重创全球NAND产出 ssd新闻存储新闻

2022-07-21

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据台媒《经济日报》报道，美国拟对获得美方补贴在美设厂的半导体厂商设限，要求十年内不得在中国进行特定投资。三星正积极争取美国补贴设厂，美方此举将使三星在西安投入全球最先进的闪存厂面临无法再升级扩产窘境，重创全球NAND产出。

业界指出，三星西安厂是集团旗下最先进、海外最大NAND芯片生产基地，月产能高达25万片，投片量占三星NAND Flash总产能约42.3%；以全球来看，三星西安厂占全球NAND Flash市场产出量高达15.3%。

业界人士分析，三星西安厂不仅对三星集团相当重要，更是全球NAND芯片产出的大本营之一，该厂动态牵动NAND行情走势。三星正积极投入美国新厂建设，同时争取美方补贴，与台积电、英特尔一较高下，一旦美方抛出「获得补贴半导体厂十年内不得在大陆进行特定投资」的紧箍咒，三星西安厂发展势必受阻。

业界人士说，三星西安厂是集团旗下最先进的NAND生产据点，制程也是最领先的技术，绝对是美方禁止扩建的领域，一旦该厂十年无法升级设备扩充，「十年不升级会落后主流制程几个世代？」意味全球逾15% NAND产能未来将毫无生产竞争力，将成为无效产能，等于全球NAND供给也将大减。

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