超越三星，台工研院携台厂打造最快磁性存储器 ssd新闻存储新闻

超越三星，台工研院携台厂打造最快磁性存储器

2022-09-15

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据台媒《工商时报》报道，SEMICON Taiwan科技专案成果主题馆于14日在「2022SEMICON Taiwan」正式登场！共展出33项创新技术！当中最吸睛的是SOT-MRAM「新兴磁性记忆体技术平台」，该平台致力打造岛内唯一磁性存储器验证试量产平台与生态系，未来可以整合成先进制程嵌入式存储器，在AI人工智能、车用电子、高效能运算芯片等领域具有非常棒的前景与市场应用潜力。

工研院电光所所长张世杰指出，MRAM有三个世代，现在量产的是第二个世代叫STT-MRAM，现在发表的是第三代的SOT-MRAM，两者最大差别在于读写次数差非常多倍。早期在芯片里存储器都是用embedded Flash的，可是闪存在40奈米以下就不能微缩，因此MRAM变得非常热门。

张世杰解释，由于SOT-MRAM的电流不会穿过元件，不会破坏掉元件，但它的架构非常难，制造也非常复杂，目前已携手台积电及多家岛内大厂，完成世界最快的SOT-MRAM阵列芯片，达成0.4纳秒高速写入、7万亿次读写之高耐受度，效能领先韩国大厂三星20%。至于台积电要多久才能量产，他预估可能要三、四年，但实际时间仍要看公司努力。

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