2032年攀升至400亿美元!新型存储器发展未来可期

2022-09-28
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近日,ObjectiveAnalysis和CoughlinAssociates新发布的报告显示,新型存储器已经开始增长,到2032年应该会攀升至约440亿美元。

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报告指出,通过取代包括NOR闪存、SRAM和DRAM在内的现有技术,新兴存储市场最初将增长到440亿美元的水平。存储器将取代微控制器、ASIC甚至计算处理器中的独立存储器芯片和嵌入式存储器,之后它们将成长为自己的新市场。
该报告解释了独立MRAM和STT-RAM收入将如何增长到约14亿美元,或2021年独立MRAM收入的30倍以上。与此同时,嵌入式RRAM和MRAM将竞争取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM,从而推动更大的收入增长。
目前,新型存储领域较为成熟的技术路线主要有相变存储器(PCM)、磁变存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM)、以及阻变存储器(RRAM)4种。PCM通过相变材料相态的变化获得不同的电阻值,MRAM通过磁性材料中磁畴/自旋磁筹的方向变化改变电阻,FRAM利用「铁电」效应来存储数据,RRAM则利用阻变材料中导电通道的产生或关闭实现电阻变化。

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