JEDEC目前正在制定第六代高带宽内存（又称 HBM4）的标准，预计12层和16层DRAM设计将在 2026年实现量产。

相关制造商正在商讨HBM4封装厚度，据称决策者已确定为775微米 (μm)。

这比上一代的720微米 (μm) 更厚。

三星电子、SK海力士和美光正在探索“混合键合”，这是一种新的封装技术，其中板载芯片和晶圆直接相互连接。

混合键合技术不需要凸块，通过板载芯片和晶圆直接键合，让层与层之间更加紧密，以减少封装厚度。

不过技术不太成熟，而且相比现有的键合技术过于昂贵，因此现阶段存储器制造商还不太愿意采用。

JEDEC的协议，将12层和16层堆叠HBM4的厚度定为775微米 (μm)，可能会产生对主要内存制造商未来封装投资趋势产生重大影响。

这些公司一直在准备一种新的封装技术，混合键合，同时考虑到HBM4的封装厚度可能会限制在 720微米。

如果将封装厚度调整为775微米，则可以使用现有的键合技术充分实现16层DRAM堆叠 HBM4。

这可能会推迟混合键合的推出——或许会推迟到与第七代HBM的发布同时进行。

目前三星电子、SK 海力士和美光的工程师即将专注于现有键合技术的升级。

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