三星疑转攻1c DRAM，6月开发完成？ ssd新闻存储新闻

2022-04-18

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据韩媒BusinessKorea报道，三星电子计划在今年6月前完成11纳米制程第六代1c DRAM的开发，在美光、SK海力士加速追赶之际，力拼保持产业龙头地位。

近期，三星通知公司内部半导体研究人员，公司决定跳过并放弃12纳米制程1b DRAM的开发。先前传出三星1b遇到研发障碍，可能修改产品路线与战略。

三星决定放弃1b DRAM后，立即加速1c DRAM的开发，若1c今年能亮相，可望拉开与美光、SK海力士等竞争对手的技术差距。

三星现阶段正面临必须抢先开发出1c DRAM的压力，因为1a DRAM开发进度已落后美光，美光目前1a DRAM已进入量产阶段。

三星过去也曾放弃28纳米DRAM开发与量产，瞄准25纳米DRAM。不过，随着制程工艺进入10纳米阶段，三星要在先进制程中复制过去模式恐有难度。

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