ASML最新EUV光刻机成功列印首条10纳米密集线 ssd新闻存储新闻

ASML最新EUV光刻机成功列印首条10纳米密集线

2024-04-19

阅读量 1146

ASML宣布首款采用0.55数值孔径（High-NA）EUV光刻机已列印出第一个图案。ASML 指出，下一步是使系统充分发挥全部性能，并在现场取得相同结果。

ASML是第一间宣布使用High-NA EUV系统并成功图案化的公司，对半导体产业是个重要里程碑。根据该公司贴文和照片，High-NA EUV系统已成功列印出第一条10纳米密集线，而该公司ASML官网提到，该设备的理论极限是8纳米。

目前全球有两套High-NA EUV设备，一套在ASML荷兰总部Veldhoven制造，该公司与Imec有个High-NA联合实验室；另一套在英特尔美国奥勒冈州D1X晶圆厂组装。ASML表示，其最新光刻机已运送给第二间客户，外界预期可能是台积电。

英特尔预期通过最新High-NA EUV设备来量产芯片，不过执行长Pat Gelsinger最近先前提到不会用于Intel 18A制程，而是留到下一个主要节点，因此推测很可能是Intel 14A。

High-NA EUV技术采用0.55 NA的镜头，实现8纳米级别的分辨率，而标准的EUV技术使用0.33NA的镜头。与Low-NA工具相比，该技术可印刷的电晶体尺寸缩小1.7倍，单次曝光的电晶体密度提高2.9倍。也因此，实现8纳米级别的制程对于3纳米以下制程技术相当重要，预期这种芯片将于2025-2026年问世。

点击此处关注，获取最新资讯！