三星：16层以上HBM必须用混合键合技术 ssd新闻存储新闻

2024-06-12

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三星于IEEE发表名为《用于HBM堆叠的D2W（晶粒到芯片）铜键合技术研究》论文，提到16层以上HBM须采用混合键合。三星计划2025年制造HBM4样品，应为16层堆叠，并于2026年量产。

混合键合是下一代封装技术，目的是芯片通过硅通孔（TSV）或微型铜线垂直堆叠时，中间没有凸点。

与三星目前热压焊接（TC）相比，Hybrid bonding可焊接更多芯片堆叠，维持更低堆叠高度并提高热排放效率。三星指出，降低高度是采用混合键合的主因，内存高度限制在775微米内，须封装17个芯片（即一个基底芯片和16个核心芯片），因此缩小芯片间隙，是存储大厂必须克服的问题。

最开始存储大厂计划尽可能减少核心芯片厚度，或减少凸点间距，但除混合键合外，这两种方法都达极限。知情人士透露，很难将核心芯片做得比30微米更薄。由于凸点有体积，通过凸块连接芯片会有局限性。

三星4月用子公司Semes混合键合设备制作HBM 16H样品，并表示芯片运作正常。贝思半导体（BESI）和韩华精密机械（Hanwha Precision Machinery）也在开发混合键合设备。

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