针对内存市场明年动向，包括南亚科、力晶、华邦电和威刚等，一致认为明年DRAM相对持稳，但储存型闪存（NAND Flash）因供给增加，相对压力会较大。

南亚科总经理李培瑛表示，从供需面分析DRAM市况，整体需求除个人计算机受英特尔处理器缺货变量干扰外，目前服务器、手机市场还是很健康，消费性电子需求也不差。

李培瑛强调，国际情势将是本季、甚至明年最大变量。 不过，DRAM供货商端理性控制产出，加上需求前景不悲观，预估明年价格不会急遽下跌，应会呈现缓跌走势。

威刚董事长陈立白表示，明年DRAM因主要芯片制造商增产有限，价格仍会持稳；NAND Flash受各大厂军备竞赛未歇，预料价格跌幅不亚于今年，预期NAND Flash上游厂明年有一半以上无法赚钱。

力晶集团执行长黄崇仁表示，美国司法部介入美光控告晋华和联电案，等于强烈阻挡中国大陆发展DRAM，原来市场担心的变量将消除， 预料明年下半年DRAM将重启涨势。

华邦电总经理詹东义也强调，内存应用领域增广，随边缘运算需求增加，加上AI（人工智能）和5G，让更多产品智能化，都为内存产业增添动能。

不过，下游买盘十铨科技仍持保守态度，认为国际变量加大，DRAM供给增加，NAND Flash增幅更大，预估明年DRAM跌幅至少三成、NAND Flash跌幅更大，因此备货已大幅降低，避免遭受跌价损失风险。