近日三星为因应需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据调查，其他供应商预计也将跟进扩大第4季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第4季 NAND Flash 均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。

价格方面，如同年初预测，NAND Flash 价格反弹会早于 DRAM，由于 NAND Flash 供应商亏损持续扩大，销售价格皆已接近生产成本，供应商为了维持营运而选择扩大减产，以期带动价格止跌反弹。

其中，NAND Flash Wafer 合约价已在8月反弹，且随着减产幅度扩大，客户备货力道有望回升，进一步支撑9月 NAND Flash Wafer 合约价续涨。不过，若 NAND Flash 涨势要延续至2024年，仍仰赖持续性的减产，以及端看 Enterprise SSD 采购订单是否会大幅回补。

供应商方面，即便 NAND Flash 相较 DRAM 具有更弹性的价格优势，今年需求位元也不见提升，加上通用型服务器出货规模持续受到AI服务器排挤，导致今年整体 NAND Flash 市场动向仍不佳，至第三季均价仍持续下跌，供应商亏损也持续扩大。

据调查供应商库存水位，以三星来看，若要在年底前有效降低库存，若要依赖终端应用客户加大备货力道，实则是缓不济急，唯有严谨的控制产能才是让供需回到合理的最佳方式。而三星大幅减产，预期可能让部分以三星主力供应产品价格反弹向上，有望带动第4季 NAND Flash 整体位元出货量，并逐步收敛供应商亏损缺口，同时将有助于模组厂改善未来获利情况。

三星主要扩大减产背景，除龙头业者的176nm以下制程持续处现金流出外，自8月起，由于AI服务器器持续排挤一般服务器需求，拖累整体服务器SSD需求进一步下修，且此一情势可能延续至2024年。

三星自第2季才启动NAND Flash减产，第3季初库存水准仍达27至28周，高于其他业者的23至27周，一般认为，制造商厂库存去化至10周以下，为本波下降循环中价格止跌翻涨的首要条件，如果业者在第4季底将DRAM库存去化为8至9周，将有助目标达成。

群联等龙头模组业者上半年持续采购NAND Flash库存、逐步累积库存至20周以上，而威刚等模组业者在三星8月下旬起扩大NAND Flash减产幅度至30%前后，启动补库存，预计自第2季的10周回补至第4季的12至22周，带动NAND Flash wafer合约价上涨10%，同时，PC OEM等大宗的下游业者并未积极启动补库存。

随三星进一步扩大减产幅度至50%，大宗下游业者采购将在第4季转趋积极，推动制造商库存水准去化至第4季季底的10至15周、明年第1季底的7至9周，带动NAND Flash wafer及主流的SSD价格自第4季起启动涨势。

SK海力士和三星电子相信，由于生成式AI的轰动，新的存储芯片市场复苏即将来临。SK海力士DRAM营销主管Park Myung-soo表示：“人工智能服务器需要500 GB或更大的高带宽内存（HBM）芯片以及至少2TB的DDR5芯片。”三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Hwang Sang-joon同日在KIW 2023上表示：“我们客户当前的（HBM）订单比去年增加了一倍多。”

点击此处关注，获取最新资讯！