西部数据推出了业界首款2Tb 3D QLC NAND芯片，世界上容量最高的存储芯片。

您会注意到容量中的小写“b”，这是因为它指的是太比特而不是太字节，2Tb芯片相当于256GB。

这款产品可能通过创建速度更快、容量更大、功耗更低的SSD来改变大容量SSD市场格局。

该芯片基于经过验证的218层BiCS8制造节点，体积非常小，可以放在指尖上。

这款产品定位于数据中心和AI存储需求。

当今SSD中使用的NAND芯片通常在一个封装中包含多个芯片。

例如，SSD 2TB WD Blue SN580有一个芯片封装，其中包含16个1Tb（128GB）芯片。

例如Corsair M600 Pro NH已经可以在一个（尽管非常昂贵）SSD上拥有8TB，使用8个芯片封装，每个封装包含8个1TB芯片。

将同样的原理应用于新技术，我们很快就会看到16TB SSD。

容量的大幅提升得益于WD和Koxia联合开发的第八代BiCS 3D NAND技术，该技术能够在单个芯片中堆叠多达218层，而目前大多数NAND的堆叠层数为112层。

2Tb NAND芯片也基于四级单元 (QLC) 闪存，这基本上意味着每个单元有四位数据，而游戏SSD中常用的三级单元 (TLC) 则有三位数据。

单芯片容量为2Tb也就是256GB，OEM可以使用4块芯片打造1TB的固态硬盘，使用8块芯片打造2TB，或者使用16块芯片直接封装4TB。

所有这些都将有助于降低大容量SSD的成本。

一颗闪存颗粒由多颗闪存芯片堆叠封装而成，一颗2TB容量的芯片能够通过16层堆叠提供4TB容量的颗粒，为未来128TB甚至256TB企业级SSD的开发提供了便利。

QLC的密度比竞争对手高出15-19%。比竞争对手的NAND芯片快50%（就 I/O 速度而言），同时每GB数据编程所需的功耗比竞争对手低13%。

西部数据与铠侠合作开发的BICS8技术采用与YMTC Xtacking类似的CBA（互补键合）技术，需要分别制造存储堆栈和CMOS控制电路，然后将两部分混合键合。

这种方法可以增强闪存的读写性能，同时提高整体存储密度并降低功耗。

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