当国内存储颗粒厂商还在研究128层堆叠技术，三星等厂商又推出了更高阶的3D NAND字符串堆叠技术，字符串堆叠由单个3D NAND设备相互堆叠组成，举个例子，如果将三个64层3D NAND设备垂直堆叠，最终的芯片将是192层产品。据韩媒报道，三星已经为其字符串堆叠技术铺好了未来，三星介绍，这项技术将使公司能够通过在此前闪存堆叠层基础上，为单颗Flash芯片提供更大的V-NAND堆叠，结合3D工艺进行改进，这项技术可以提升固态硬盘的容量，同时降低单位容量存储的功耗和成本。

据此前韩媒报道，三星成立专门研发团队增加第六代V-NAND 3D闪存芯片量产能力，已经突破技术瓶颈，可通过硅通孔技术实现128层3D堆叠，目前良率已经在逐步提升。随着堆叠层数的增加，制作工艺也更复杂，第六代V-NAND闪存芯片沟道蚀刻时间是上一代的两倍以上。三星方面表示，凭借最新的V-NAND技术，公司已经为客户提供了100多个3D NAND层，推出的第六代产品可为每个堆栈增加40％的单元，增加10％的功耗并减少15％的能耗。三星计划提供更多的V-NAND层，包括超过200个以上的NAND层，目前，大多数的固态硬盘是3D NAND 64层的。

据悉，3D NAND闪存是一种创新的闪存技术，它主要是通过把内存颗粒堆叠来解决2D NAND闪存单位容量过小的痛点，由于平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，3D NAND技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备更高的精度和存储容量，对SSD厂商而言，可以节约更大的成本，能耗降低。

3D NAND闪存的作用就是就是能够提供容量更大的闪存，各大颗粒原厂都在研发3D NAND技术，但是3D NAND颗粒价格很贵，真正特别适合应用的场景是有限的，比如在10 TB以上的SSD上，大型数据中心等。

尽管3D NAND的优势明显，但是3D NAND也有不足之处，那就是它的可靠性和稳定性，工艺越先进，导致NAND氧化层越薄，可靠性也越差，原厂需要增加更多其它成本弥补这个不足。

任何的新技术都非万能，只是为了适应这个阶段的应用环境，技术创新永远在进行着，闪存产业也是如此。

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