目前在疫情的影响下，全球市场恢复的不确定因素增加，恐将影响存储器后续市场发展。目前主要存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。

根据南韩媒体报导，存储器大厂 SK 海力士相关内部人士透露，该公司已开始研发第 4 代 10 奈米级制程 (1a) 的 DRAM，内部代号为“南极星”，而且预计将在制程中导入 EUV 曝光技术。

报导指出，目前 SK 海力士最先进的 DRAM 产品主要以 10 奈米等级的 1Y 及 1Z 制程技术为主，这是属于第 2 代及第 3 代的 10 奈米等级制程。该公司计划在 2020 年下半年将这两种制程技术的生产比重提高到 40%。此外，SK 海力士还将继续发展新一代的 DRAM 的制程技术。

报导进一步强调，“南极星” 将是 SK 海力士至今的最关键发展计划之一，因为这是该公司首度应用 EUV 曝光技术来生产 DRAM。不过，报导也引用南韩一位消息人士的说法指出，目前 SK 海力士当下最重要的问题，是公司是能否透过使用 EUV 曝光技术来确保其产品的有效竞争力。

事实上，之前有媒体报导指出，SK 海力士的竞争对手三星已在 2020 年 3 月份宣布，已出货了 100 万个由第 4 代 10 奈米等级，内含 EUV 曝光技术所生产的 DDR4 DRAM 模块，并预计将在 2021 年开始正式大量生产，而且，未来该公司接下来的几代的 DRAM 产品将会全面导入 EUV 曝光技术，这消息对 SK 海力士来说将会是充满着竞争性。因此，SK 海力士计划目前旗下的首款第 4 代 10 奈米等级 DRAM 将在 2021 年推出，这也将使得届时以 EUV 曝光技术的存储器生产市场竞争将更加激烈。

扫一扫，获取最新资讯！