芯片产业作为高风险、高技术含量的产业，谁掌握了核心的制造技术，谁的话语权就大。在顶级的纳米制程上，台积电、三星、英特尔三足鼎立的局面已经形成，制程之争将是未来数年芯片产业的一大常态。美国作为科技强国，自然也明白这样的道理，未来三大厂可能将主要产能放在美国，因为三星近日可能也要去美建厂了。

据韩媒报道，三星将在美国的制造重镇德州奥斯汀建立晶圆厂，主要生产闪存芯片等产品，投资规模100亿美元，月产能约7万片。三星方面尚未透露本次建厂的目的和动机，但是业内基本猜测或许是迫于美国投资者的压力。

据悉，三星的产能主要集中在韩国和中国西安，其中三星12英寸闪存芯片二期项目近日备受关注，总投资1010亿元，已经开始建设，助力三星生产3D V-NAND芯片，预计2021年上半年建成投产，2022年完成全部投资并实现满产。建成后，三星西安闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上，年产值将突破1000亿元，将是全球规模最大的闪存芯片生产基地。

三星闪存芯片在全球的市占率遥遥领先，而中国的存储客户无疑是三星最大的资源和金主爸爸。三星在西安的厂主要是定位在生产高端存储芯片，一旦产能满载将冲击整个存储行业。

之所以如此重视产能，这是因为三星的半导体2030计划，为了抢攻在2030年成为非记忆体半导体龙头地位，三星已经和ASML公司协商，订购最先进的EUV光刻机设备，未来的制程之争将集中在5nm和3nm节点上，目前，仅有三星和台积电具备这样的实力。

二虎相争的时代

台积电在今年5月提出赴美建厂，11月已经正式获批，美国给台积电提供了地和资金支持，初步投资金额就达到了120亿美元，预计要在四年后才能够正式建成。据悉，台积电在今年5月宣布有意在亚利桑那兴建晶圆厂，该厂将成为美国第一座最先进制程晶圆厂。

美国美国当地时间18日，亚利桑那州凤凰城市议会于当地时间18日以9票赞成0票反对通过台积电投资协议。根据协议，台积电将在当地投资120亿美元兴建5纳米晶圆厂，最快明年初开建，2024年进入量产。凤凰城市政府将提供2.05亿美元，用于改善道路及水源等基础建设，联邦政府也将对台积电进行补助，但补助金额并未透露。

根据协议内容，凤凰城政府计划拨款2.05亿美元用于改善基础建设，其中0.61亿美元兴建3英里道路，0.37亿美元改善水源，1.07亿美元提升废水处理能力。台积电将在选定建厂位置后，与亚利桑那州凤凰城签下正式开发协议，预计年底前可正式拍板定案，2021年年初开工建设。

7nm工艺是半导体产业一个非常重要的转折点，而要想获得非常好的良率，引入EUV技术是7nm工艺的关键，同时这项技术也是摩尔定律延续到5nm以下的关键技术，引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程，节省时间和成本。不过，引入EUV技术并不容易，其需要投入大量资金购买昂贵的EUV设备，同时需要进行大量的工艺验证以确保在生产过程中获得较佳的良率，才能以经济的成本适用于生产芯片。在制程方面，台积电追求的是良率，三星的策略更激进，三星全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的，而台积电比较保守，3nm还是用FinFET，2nm上才会使用GAA工艺。

对于美国自己的英特尔，这几年的表现的确落后了先进技术不止一点。英特尔似乎在制程上似乎落后两个对手不少，尤其是7nm这个点，几乎没有什么大的进展。还是集中在10nm工艺，美媒报道称，他们更集中精力研发10nm工艺，2021年加速10nm工艺的推进，可能会量产10nm芯片，7nm仍是遥遥无期。

英特尔在6月份曾表示，由于生产上遇到缺陷，其7nm制程处理器的上市将推迟6个月，最晚要等到2023年。英特尔CEO鲍勃·斯旺透露，如果不能及时生产7nm芯片，其将委托第三方代工厂商。

未来，对于芯片研发产业而言，三星和台积电的制程之争将是影响整个芯片产业的一大关键。随着三星的赴美建厂，三国争霸时代或许将变成二虎相争，激进前行。