据报导，三星电子去年削减设备投资2.1兆韩元（约531亿台币），主因商业环境不确定性和半导体市场不景气，尤其去年第4季大型IT（资讯科技）客户对记忆体晶片的需求未如预期般复苏，迫使三星修改投资计划，包括三星在中国的NAND（储存型快闪记忆体）西安新厂、南韩华城厂的极紫外光（EUV）专用产线、平泽记忆体新厂计划，都延至今年才会完成启用。产业分析师预测，三星今年在半导体设施的投资将类似于去年规模。

报导指出，三星1月财报显示，去年设备投资总额26.9兆韩元，较3个月前宣布的投资计划减少约2.1兆韩元。三星去年10月底公布的财报预估，2019年全年设备投资额29兆韩元，而去年前3季设备投资已达16.8兆韩元，故计划在去年第4季投资12.2兆韩元、并将重点放在记忆体生产的基础设备上，在半导体投资9.9兆韩元，在显示器投资1.6兆韩元，包括引进EUV技术，以满足中长期需求、增强晶圆厂竞争力及战略性布局下世代量子点技术（Quantum Dot）显示器。但在记忆体需求复苏不如预期下，产业分析师预期，三星今年半导体设备投资规模类似去年，不太可能扩大投资逾30兆韩元。