据SK海力士表示，他们已开发出一种176层4D NAND闪存芯片，这种芯片具有更高的生产率和性能。SK海力士称，新的芯片是其4D产品的第三代产品，该产品突出了业内每晶圆的最佳芯片数量，176层的512Gb TLC 4D NAND闪存样品已于上个月提供给闪存控制器公司以制造解决方案产品。

作为全球几大闪存芯片供应商之一，4D NAND是其引以为豪的技术。SK海力士在2018年公布其未来闪存产品的技术发展路线图，将新款闪存命名为“4D NAND”，这也意味着3D闪存系列增加了一个新规格。

据闪德资讯了解到，SK海力士推出的4D NAND采用了电荷捕获型设计，类似三星和东芝生产的闪存，采用电荷捕获型闪存技术进行设计。4D NAND与3D NAND技术相比，优势在于SK海力士自身的CTF设计与Periphery Under Cell技术。SK海力士表示：“3D闪存由阵列和外围电路两个主要组件组成。与传统3D NAND相同，SK海力士的阵列是垂直堆叠的层用于存储数据，而外围电路排列在单元边缘。由电路控制阵列，但随着NAND层的增加，它就会消耗芯片空间，增加复杂性与尺寸大小，由此增加产品的最终成本。”

新的176层NAND闪存采用了2分区单元阵列选择技术，比上一代产品将单元的读取速度提高了20％，同时其数据传输速度也提高了33％，达到1.6Gbps。SK海力士公司方面对媒体表示，与上一代产品相比，具有差异化的成本竞争力，这使钻头的生产率提高了35％。

据悉，SK海力士将首先在2021年中旬发布移动解决方案产品，该产品在推出消费者和企业固态硬盘之前将最大读取速度提高70％，将最大写入速度提高35％。SK海力士希望通过基于176层4D NAND开发密度翻倍的1Tb产品来进一步提高其在NAND闪存市场中的竞争力。

最近的SK海力士可谓是“网红”级别的企业，先是和英特尔签署了90亿美元全现金的收购协议，将大名鼎鼎的英特尔NAND存储部门收入囊中。然后，SK海力士半导体（重庆）限公司暂时停产，差点影响了他们四成的闪存产品Nand Flash供应，好在后面恢复。上周三，因为存储大涨，韩国股市创历史新高 SK海力士大涨8%，创约20年新高。一系列的事件增加了SKK海力士对行业的信心，对技术也更加自信。

其它厂商：有的仍在144层，有的研发176层

11月10日，镁光发布消息，他们已开始批量生产全球首个176层3D NAND闪存，实现了行业领先的密度和性能，新型的3D NAND增强了移动、汽车、客户端和数据中心应用程序等的存储能力，176层三层单元3D NAND芯片已在镁光的的新加坡工厂量产。据悉，镁光的新NAND闪存与该公司的上一代大容量3D NAND相比，176层NAND将读取延迟和写入延迟提高了35％以上，从而极大地提高了应用程序性能，176层NAND紧凑型设计比同类最佳竞争产品小30％的裸片尺寸。

如今，三星量产的是第六代NAND闪存是128层，第七代的闪存将达到176层，也就是三星176层闪存，第七代NAND闪存采用了双堆栈技术，这是一种可以将通孔分成两部分的，以便电流通过电路的方法。堆栈层数的增多也会带来工艺的进步，这也是目前的一大技术难点。2020年6月，三星宣布投资约9万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的2号线建设新的NAND闪存芯片生产设施，以扩大NAND闪存的生产线，并预计该设施将于2021年下半年投入运营。

英特尔还是集中研发144层3D NAND闪存，英特尔NSG部门发言人Rob Crooke此前表示，英特尔自主研发的144层3D QLC闪存将在2020年晚些时候上市。

据了解，144层的堆叠是英特尔第四代3D闪存技术，也是英特尔第一次完全自主研发，前三代产品均为英特尔和镁光合作完成。英特尔144层堆叠3D QLC闪存的单die容量依然是1024Gb，但芯片堆叠层数更高，芯片面积将更加小了，成本也在降低。

2020年6月，韩媒曾指出，SK海力士NAND闪存业务已经连续六个季度处于亏损状态，业内人士认为SK海力士没有从NAND闪存中获利的原因是该公司在控制器技术方面的竞争力较弱，新的技术突破无疑给公司增加更多商业竞争的筹码。一旦176层4D NAND闪存芯片正式量产，将给存储行业的供需关系和价格波动带来蝴蝶效应。

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