据韩媒TheElec消息，SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。

UFS 4.0 是今年 5 月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为 23.2 Gbps，是之前 UFS 3.1 的两倍。

SK海力士也制定了UFS 4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS 4.0内存上搭载V7和V8 NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC 4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。

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