作为全球存储领域极具影响力的和权威的行业协会，SNIA（全球存储网络工业协会）多年来致力于全球存储行业开发和推广，促进全球存储行业的交流互动。近日，SNIA举办了以“从数据中心到边缘计算”为主题的持久性存储和计算存储峰会（Persistent Memory + Computational Storage Summit 2021），与全球存储行业精英共同探讨行业发展。

伴随着物联网以及5G的发展，每天有数百万的物联网设备上线，由此产生了巨大的数据量。尽管巨大规模的数据中心拥有海量的存储空间，但是面对如此大量并且源源不断产生的数据，数据中心的存储速度和容量难免受到挑战。于是，边缘计算出现了。通过本地计算来处理相关数据，大大减少了原始数据量，从而减轻数据中心的压力。

与此同时，大量物联网设备的实装，其中不乏对时延要求更为严苛的智能驾驶汽车等设备，随着物联网设备对实时分析的需求变得越来越重要，对数据中心的分散要求也会随之水涨船高。因此也就需要数据中心更多设置在人口稠密地区，在边缘计算的基础上更进一步降低时延，提升数据流转的时效性。

慧荣科技作为全球领先的NAND闪存控制器，近年来发力数据中心存储，在SATA、PCIe 3.0以及PCIe 4.0等不同性能等级上均有产品覆盖，包括SM2270、SM2271以及SM8266，均提供搭配完整的Turkey解决方案，大大减少数据中心及企业级SSD产品开发流程，抢占市场先机。

SM2271主控芯片

SM2271作为一款实现高容量及高性能的企业级SATA SSD控制器，主要是用来替换低性能的HDD，在提供高性能的同时，尽可能以较低的成本实现更大容量的数据存储。SM2271主控芯片内建8个NAND闪存通道，可将SATA接口性能最大限度发挥出来，连续读取最高可达540 MB/s，连续写入最高可达520MB/s，随机读取高达 100K IOPS，随机写入高达30K IOPS。可搭配3D TLC/QLC颗粒，最高容量可达16TB。

SM2270主控芯片

SM2270提供PCIe Gen3 x8和16个NAND闪存通道。连续读取最高可达3,200 MB/s，连续写入最高可达2,800 MB/s，随机读取高达 800K IOPS，随机写入高达 200K IOPS。SM2270在主控芯片中内置三个Arm Cortex-R5双核处理器，确保SSD能够在低延迟、高性能状态下持久稳定运行。可搭配3D TLC/QLC颗粒，最高容量可达16TB，满足数据中心大容量需求。

慧荣科技旗下宝存科技针对于SM2270 Open Channel SSD定义了一种通用的、高效率的主机端直接访问 FLASH 的标准接口，与百度联合百度开发出一套高性能KV存储引擎，有效减少写放大对设备性能的影响。实现了同等级产品中单独提升存储性能和单独优化软件逻辑都无法达到的业务性能提升幅度。

金士顿DC1000M

SM2270一经推出，就受到了众多数据中心和企业的关注，其中金士顿DC1000M数据中心SSD正是采用SM2270主控芯片，专为高密度资料传输工作负载进行设计，是金士顿在数据中心固态硬盘系列中最顶级产品。

SM8266主控芯片

SM8266采用更高数据吞吐量的PCIe Gen4 x4接口，搭载慧荣最先进的固件和硬件技术，可提供一致性、低延迟的QoS性能。具备16个NAND闪存通道，并支持最新款3D TLC和QLC NAND闪存技术，容量最高可达16TB。SM8266采用多项慧荣科技独有的技术，包括第六代NANDXtend™技术、端到端数据路径保护、断电保护等等，让SSD在PCIe Gen4的性能下达到企业级的可靠度、数据完整性及保存性。

SM8266主控芯片解决方案依赖PCIe Gen4的高吞吐量带宽，可以为企业级存储带来更高的读写性能。顺序读取写入速度最高可达6,550/3,100 MB/s，随机读取写入速度最高可达950K/220K IOPS。如此高速的性能，完美符合高数据吞吐需求的数据中心，尤其是在大数据、人工智能AI等对于存储性能要求极为严苛的高新技术应用，SM8266主控芯片都能提供出色的产品性能和稳定性。

大量物联网设备和5G智能终端的应用将会带来海量数据，不仅仅中心化的数据中心和大型互联网公司需要数据存储，分布式的小型数据中心同样也需要大量的存储设备。面对巨大潜力的企业级存储市场，慧荣科技从产品到完整解决方案都已准备就绪。 

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