不用EUV也能直上5纳米，铠侠与合作伙伴开发中有意率先导入 ssd新闻存储新闻

不用EUV也能直上5纳米，铠侠与合作伙伴开发中有意率先导入

2021-10-23

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为解决使用EUV光刻设备导致芯片生产成本升高的问题，日本存储器大厂铠侠现在联合了合作伙伴开发了新的工艺技术（NIL：纳米压印微影技术），可以不使用EUV光刻设备，使工艺技术直达5纳米。

相较于目前已商用化的EUV技术半导体制程，铠侠表示，NIL技术更加减少耗能，而且大幅降低设备成本。原因在于NIL技术的微影制程较为单纯，耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40%。报道指出，对铠侠来说，NAND零组件因为采取3D立体堆叠结构，更容易适应NIL技术制程。

另外，根据合作伙伴DNP的说法，NIL量产技术电路微缩程度可达5纳米节点，而DNP从2021年春天开始，就已经在根据设备的规格值进行内部的模拟当中。另一个合作伙伴佳能，则是致力于将NIL量产技术广泛的应用于制作DRAM及PC用的CPU等逻辑芯片的设备上，以在未来供应多的半导体制造商，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程上。

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