本季度三星打算停止生产B-die内存颗粒，这是一种在超频能力上非常突出的内存零配件，DRAM模块制造商通常使用三星的B-die 8 Gb内存晶元来组装超频能力最强的内存。根据三星最新的产品指南，该公司将在2019年第二季度停产其B-die 8 Gb内存晶元，但具体时日尚不清楚。

这对于Corsair或G.Skill来说可不是一个好消息，这意味着他们为超频用户设计的DDR4-4000和更快的套件只能用自己的库存来制造了。

三星将继续使用其10纳米级工艺技术生产C-die和D-die 8 Gb内存晶元。通常官方会建议用其制造DDR4-3200和DDR4-3600，同样适用于高端内存模块，但并非所有DIMM制造商都将它们用于顶级产品，尤其是与B-die相比。

同时，三星还列出了采用10纳米级工艺技术制造的16 Gb A-die存储器件，这些器件用于构建伺服器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存储器模块。