三星14日宣布，将在2021年推出突破性的3纳米制程“环绕式闸极结构”（Gate-All-Around，GAA）技术，具备速度更快、更轻薄短小、耗电更低等优势。

三星并宣称，在GAA技术领先台积电一年。业界认为，三星半导体事业近期面临DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）两大产品市况低迷问题，亟需对外加大力度宣传其半导体事业竞争力，此次高分贝宣传其晶圆代工技术，力杠台积电，也意味两强的先进制程战火进一步延烧。

事实上，台积电3纳米制程也正如火如荼规划中，其3纳米投资计划在去年底通过环差变更审查后，已启动在南科晶圆18厂的第四到六期新厂兴建。

台积电3纳米计划主要在南科的晶圆18厂，台积电内部将5纳米和3纳米视为同一计划，全数集中在晶圆18厂，目前也调派菁英部队，全力督军建厂工程，台积电甚至在竹部成立研发中心，全力投注3纳米及以下先进制程，估计台积电从5纳米到3纳米制程，投资总额即超过1.5兆元，带动的群聚效应更是惊人。

依照台积电创办人张忠谋在主持晶圆18厂时提出的完工蓝图，3纳米应可在2021年试产、2022年量产，成为全球第一家提供晶圆代工服务，同时解决很多AI人工智慧晶片功效更强大的晶圆代工厂，让全球半导体产业跨足新纪元。

科技网站CNET报导，三星在加州举行的三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum）上表示，GAA技术将是三星与台积电、英特尔竞争中的重要一步，重新设计晶片核心的电晶体，使电晶体更小、更快。

近年来，晶片制造业者都苦于克服晶片最小化的工程挑战。根据三星释出的资讯，GAA技术重新设计电晶体底层结构，号称将可提升速度性能35%、使用空间减少45%，以及电力消耗减少50%。

国际商业策略（International Business Strategies）执行长琼斯指出，三星的材料研究计划正开始获得回报。他说：“三星在GAA技术方面已经超越台积电，可能领先达12个月。

GAA全名为Gate-All-Around，又被称为“闸极全环”，是种多闸极电晶体，能使用一个电极同时控制多个闸极的电晶体。GAA是当前鳍式场效电晶体（FinFET） 进化版的晶片生产技术；或称“环绕式结构 FET”，能对晶片核心进行全新改造与设计，使晶片更小，处理速度更快且更省电，是一项全新的电晶体架构 。