南韩三星电子在中国西安及南韩平泽市，都正兴建半导体工厂，准备扩大产能，但基于当前供应过剩的疑虑，何时让这两座新厂开工、生产什么产品，都是三星的巨大难题。

记忆体报价显示，截至 9 月，DDR4 8Gb 的 DRAM 及 128Gb MLC 的 NAND 快闪记忆体，价格分别为每单位 2.94 美元和 4.11 美元，显示近两个月价格变化不大，但更之前 10 个月，记忆体晶片价格暴跌，即使制造商减产，也未阻止价格跌至最低点。

南韩媒体《Business Korea》报导，今年，三星正准备利用西安二期工厂及平泽工厂，改善生产设备并调整供货，根据三星第 2 季财报电话会议所说，公司不准备人为减少 DRAM 的产量，因此，它预计透过在工艺过渡期间，由第一代升级为第二代，停止第一代晶片相关生产线，从而降低其产量。

主要对手均减产力保价格不降

在供应过剩的疑虑下，三星主要竞争对手，均已经在调降产能。SK 海力士宣布削减 DRAM 和 NAND 快闪记忆体的生产，美光和东芝也降低了产能，如此一来，尽管总需求减少，在供应也降低之下，大厂正努力确保价格不至于下挫。

但明年的情况将更复杂，要是三星在西安的二期工厂，以及平泽预计今年完工的第二工厂，都开始大规模生产存储晶片，那么晶片价格的下跌是不可避免的。出于这种担忧，三星表示，尚未决定何时开工，以及会生产那些产品。

业内观察家推测，西安的二期工厂将与一期厂一样，生产 NAND 快闪记忆体，但已遭三星否认，表示尚未决定。由于 NAND 快闪记忆体的价格已在上半年达到平衡点，西安二厂有可能被用来生产 DRAM，因为这部分在中国市场的需求很大。

DRAM 需求、竞争都加大

竞争对手最近的举动，加剧了三星的担忧。全球第三大 DRAM 制造商美光在上个月的电话会议上表示，由于明年对 DRAM 的需求预计将成长 18-20%，因此它将相应地增加 DRAM 的供应。同时间，英特尔发布了 Optane，它将占领一部分 DRAM 市场，从而也加大三星的压力。

凭藉其在技术和生产能力方面的竞争优势，三星可以打败对手，甚至不计代价来压制对手。但考虑到整体产业的全球形势，这是非常冒险的。此外，中国正在调查三星、SK hynix 和美光公司涉嫌违反反托拉斯法的行为，三星要是冒进，也可能遭到巨大的惩罚。

目前业界对 5G 商业化的“超级周期”抱持一些期望，但由于苹果要到明年下半年，才可能发布 5G 的 iPhone，这使得半导体的需求预计将受到限制。

伺服器业者对 DRAM 的需求，在最近几年为三星能缴出佳绩贡献卓著，但这类需求不太可能反弹，也会打击三星后续的表现。

业内人士表示，由于晶片制造商需要考虑众多因素，包括美中贸易战、美国总统大选结果等众多重大风险，因此三星恐怕还得为此事头痛不已。