在 SK Hynix 之后，Samsung Electronics 的 HBM2E 也出现了。

Samsung Electronics 稍早发表第 3 代High Bandwidth Memory 2E（HBM2E），虽然对手 SK Hynix 已经在 2019 年 8 月发表，但相关产品要等到 2020 年才会正式进入量产阶段。

称为 Flashbot 的 Samsung Electronics HBM2E 提供 16GB 容量，主要针对高效能运算以及超级电脑市场而推出。

相较于 8GB HBM2 的 Aquabolt，全新的 Flashbot 不单单增加效能，同时也在功耗部分有所优化；目前，16GB 容量的 HBM2E 颗粒是由 8 层 10nm 级别（1y 制程）的 16Gb DRAM 堆叠而成。Samsung Electronics 的 Flashbot 最高传输速率可以达到 3.2Gbps（OC 的话可以达到 4.2Gbps）以及 410GB/s（OC 可达 538GB/s）的记忆体频宽。

8GB HBM2 Aquabolt 最高转速速率为 2.4Gbps，而记忆体频宽部分为 307GB/s；若没有太大意外的话，16GB HBM2E 所使用的电压与 8GB HBM2 同为 1.2V。

Samsung Electronics 预计会在 2020 上半年开始量产 HBM2E，而 HBM2 的 Aquabolt 仍将会持续供货。