三星电子（Samsung）、台积电（TSMC）在先进制程之争愈发激烈，韩媒上周先是揭露三星已经成功开发出业界首个3奈米制程，如今又再度爆料，三星仅8个月就研发出极紫外光（EUV）技术的6奈米制程，有望缩小与台积电差距。

据韩媒报导，三星电子副董事长李在镕上周访问位于韩国畿道华城的半导体研究中心，简要介绍业界首个3奈米制程GAA（Gate-All-Around）制程技术。今（6）日消息透露，三星自2019年12月华城厂区开始量产6奈米，一名公司高层表示，6奈米产品已经交付北美的客户，有半导体专家观察指出，6奈米应该是供应给高通使用。

在此之前，三星2019年4月开始生产7奈米产品，也就是说生产6奈米产品仅用8个月时间，与7奈米相比，6奈米产品改良半导体尺寸、功率和性能。

根据先前报导指出，三星5奈米编号为5LPE（5nm Low Power Early），为三星7奈米（7LPP）、第二代6奈米（6LPP）之后的第三代改良版制程，5LPE较前一代制程25%，或在相同性能与晶体管密度，功耗降低20%，以及在相同功耗与晶体管，性能提高10%。

根据市调机构TrendForce数据显示，台积电在第四季晶圆代工市场取得52.7%市占率的好成绩，三星则是以17.8%居次。拉开两者市占率差距的主要原因，就是三星在研发出16奈米、12奈米制程后，延迟于7奈米制程研发，台积电却在这节点追上，并依靠先进制程以及高良率优势，垄断苹果的行动处理器芯片供应。

三星打算利用EUV微影技术，在2030年超越台积电，计划10年内投入1160亿美元（约3.5兆元新台币），三星除了量产6奈米之外，预计在2020年上半年推出5奈米产品，若依照先前释出消息，预计在2021年就能量产GAA技术的3奈米制程。