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存储器开发商Weebit将ReRAM技术扩展到22nm FD-SOI

2022-03-21
阅读量 1766

据eeNews报道，以色列半导体存储器开发商Weebit Nano Ltd正在与CEA-Leti研究所合作设计内存模块，其中包括一个万兆位的ReRAM块，目标是22nm FD-SOI工艺。2021年，Weebit在12英寸晶圆上采用28nm FD-SOI工艺技术测试了可用的1Mbit ream阵列。

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格芯在德国德累斯顿的这个生产节点拥有一个批量FDSOI工艺——22FDX。在闪存无法有效扩展到28nm以下的背景下，这为新兴的非易失性存储技术提供了扩展到更高级节点的机会。
与此同时，嵌入式闪存预计不会扩展到22nm，这为Weebit提供了机会，不过相变存储器、磁性RAM和金属氧化物ReRAMs也在开发中，以扩展到这些节点。

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