英特尔1000亿美元投资背后，是2500亿美元的对华「全面竞争」 ssd新闻存储新闻

英特尔1000亿美元投资背后，是2500亿美元的对华「全面竞争」

2022-01-25

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日前，英特尔宣布，计划在美国俄亥俄州新建两座芯片工厂，初始投资超过200亿美元，时间周末扩大至未来10年，更将在美国当地投资1000亿美元，以建成全球最大的半导体生产基地。美国总统拜登也对英特尔的这一计划表达了赞赏。

英特尔首席执行官Patrick Gelsinger向美国俄亥俄州州长赠送了一块硅晶圆片。

图片摘自纽约时报

事实上，英特尔的1000亿美元投资计划背后，是影响更广泛得多的一项美国「全面竞争」法案，基于其重要性，闪德君在些为大家简单梳理一些关于这项涉及资金高达2500亿美元的法案的情况。

据《纽约时报》报道，拜登此举意在启动其经济和国家安全议程中一项停滞不前的内容：对中国也在寻求主导地位的技术领域，美国联邦政府在制造、研发方面进行大举投资。

这些投资主要体现于美国参议院2021年6月通过的《美国创新和竞争法案》（U.S. Innovation and Competition Act），彼时，这项涉及资金规模高达2500亿美元的产业政策法案，在美国两党支持下，以压倒性多数获得通过。《美国创新和竞争法案》被认为是美国历史上最全面的产业政策法案，其通过标志着美国将要展开与中国的激烈竞争。

据《华尔街日报》报道，该法案旨在促进美国对高科技研究和制造业投资，称美国需要在科技方面进行大量投入，以应对中国和其他全球竞争对手带来的挑战。

这一法案的参议院版本包括约520亿美元资金安排，用于鼓励提高美国本土的半导体产量。英特尔公司发言人就表示，这项规定可能有利于其最新宣布的在俄亥俄州投资两个新芯片工厂的计划。

不过，虽然《美国创新和竞争法案》在美国参议院得到了两党支持下的压倒性多数通过，但其在众议院却陷入了困境，至今已7月有余。究其原因，《华尔街日报》指出，许多民主党人希望该立法能够解决更广泛的社会问题，包括经济不平等和气候变化，而这，可能让他们失去一些共和党人的支持。

与共和党人共同起草该法案的战略竞争措施的美国参议院外交委员会主席、民主党议员鲍勃·孟南德斯（Bob Menendez）曾表示，该法案「让我们的国家终于可以在权力、政治、外交、经济、创新、军事甚至文化等每一个维度上去面对中国的挑战」（所谓「全面竞争」）。

不过，该法案初被提交给美国参议院审议时，中国外交部即对法案表达了强烈批评，指其「严重歪曲事实、颠倒黑白，大肆鼓吹美国开展全面对华战略竞争，粗暴干涉中国内政」。中国外交部发言人汪文斌在记者会上发问：「难道美国发展的目的就是为了在竞争中打败中国吗？」

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