据韩媒THE ELEC引用消息人士说法,三星新成立HBM团队3月开始从工作小组转为常设办公室,专注HBM4开发。以HBM4为主,原因是采第六代1c制程DRAM芯片,可搭配AI芯片,需求量非常大。三星HBM3E即将量产,是由现在DRAM团队负责。工作小组转成常设办公室后验证的确加速HBM开发,办公室由存储业务主管Lee Jung-base领导,凭借重组关键员工增强竞争力。三星计划2025年提供客户HBM4样品,2026年量产。SK海力士也计划2025年底量产12层DRAM堆叠HBM4,代表SK海力士量产时间还是比三星早。三星2019年解散HBM团队,导致SK海力士以HBM3拿下巨大市占率。消息人士指出,三星相信可用HBM4重新夺回领先,并比竞争对手产品更好。与SK海力士相比,三星HBM为热压缩非导电薄膜(TC-NCF),抗弯曲特性能制造更多层DRAM堆叠HBM。三星认为还有一个优势,就是自家有晶圆代工。从HBM4开始,三星HBM最底层控制芯片都是自家晶圆代工,而SK海力士则与台积电签署备忘录。
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