美光、三星等 DRAM巨头正积极备战1γ DRAM技术。

目前全球最先进的DRAM工艺发展到了第五代，美光将其称为1β DRAM，而三星将其称为1b DRAM。

美光于去年10月开始量产1β DRAM，不过研发目标是在2025年量产1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。

三星计划2023年迈入1b DRAM工艺阶段，芯片容量从24Gb（3GB）到32Gb（4GB），原生速度从 6.4 提高到 7.2Gbps。

在 NAND 闪存业务中，该技术现已突破 200 层堆叠的显著里程碑，存储制造商不断追求更高的层数。

SK 海力士8月9日展示了全球首款321层 NAND闪存样品。与之前的238层 512Gb NAND 相比，这一创新将效率提高了59%。SK 海力士计划进一步完善 321层NAND闪存，并计划于2025年上半年开始生产。

此外，美光还制定了超越232层的计划，即将推出2YY、3XX 和 4XX 等产品。Kioxia和西部数据也在积极探索300层、400层和500层以上的3D NAND 技术。

三星计划在2024年推出第九代 3D NAND，可能具有280层，随后在2025-2026年推出第十代，可能达到430层，最终目标是到2030年实现1000层 NAND 闪存。

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