三星电子近期一直很困难，由于继承人李在镕面临司法问题，想要重新成为董事长都有难度。

在韩国国内，三星电子面临SK海力士的激烈竞争，特别是后者在HBM领域已经获得主导地位。

代工方面，三星电子遭遇台积电和英特尔的双面夹击，台积电的订单激增，领头羊地位稳固，英特尔还在抓紧发展晶圆代工。

为了展示实力，三星电子上周宣布加强和芯片设计Arm之间的合作关系，增强代工业务的竞争力。

3月26-27日，三星电子将在硅谷举办MemCon 2024全球会议，展示被称为HBM下一代技术的CXL DRAM的愿景，希望借此提高数据处理速度，巩固在AI存储芯片市场的地位。

三星电子届时将发表《在AI时代引领HBM和CXL创新，实现高内存带宽和高容量的技术产品》主题演讲。

CXL DRAM最新产品预计将在今年推出。由于该市场暂时处在起步阶段，三星电子在CXL市场取得领先，2021年率先推出CXL DRAM，今年第二季度预计推出CXL2.0 DRAM。

三星电子表示，近期明显感受到AI是所有公司未来的核心，存储芯片将会发挥更大的主导作用。对AI芯片的需求不仅在HBM方面，还会蔓延到CXL。

三星电子宣布，已经开发出业界首款HBM3E 12H DRAM 的最大带宽为 1,280GB/S，容量为36GB。与8H HBM3相比，带宽和容量均提高了50%。

该产品采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12H HBM3E具有与8H相同的高度，以满足封装要求。

该薄膜比以前使用的薄膜更薄，消除了堆叠之间的空隙，并且它们之间的间隙减小到了7微米，使得12H HBM3E的垂直密度比8H高出20%以上。

TC NCF还允许使用小凸块和大凸块，在芯片焊接过程中，小凸块用于信号区域，大凸块用于需要散热的地方。

员工泄密案件曝光

据悉，韩国地方检察机关对三星电子某员工提出起诉，该员工已经退休。

这位员工在三星电子IP中心工作了20多年，被指控2011年在日本开了一家专利咨询公司，涉嫌泄露三星电子内部机密。

三星电子IP中心数据每周更新一次，包括专利信息。这些信息被认为机密，禁止对外透露。这位员工还通过其他同事获得机密信息，泄密次数高达91次。

在获得机密之后，这些信息会被用在日本公司内部会议进行专利业务。

该案件将在3月7日进行审理。

另外，三星电子周一表示，将加入美国芯片巨头英伟达主导的联盟，该公司与英伟达、Arm、软银、爱立信、诺基亚、微软等半导体、电信、软件巨头一起，成为在今年世界移动通信大会（MWC）上成立的AI-RAN联盟的创始成员。

联盟目标是将人工智能和无线通信技术相结合，形成6G技术研发的生态系统。

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