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全球第一款量产176层3D NAND闪存横空出世，友商们进度怎么样了？
原创：
闪德资讯
2020-11-10
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据外媒报道，它们已开始批量生产全球首个176层3D NAND闪存，实现了行业领先的密度和性能，新型的3D NAND增强了移动、汽车、客户端和数据中心应用程序等的存储能力。镁光表示，镁光科技的新176层技术和先进的体系结构表示的基团的突破，使通过一系列的存储使用情况跨越数据中心，智能边缘设备和移动设备中的应用程序性能的巨大增益。镁光科技与产品执行副总裁斯科特·德伯尔表示：“镁光的176层NAND为行业树立了新的标杆，其层数比我们的竞争对手高出近40％，与公司的CMOS阵列下架构相结合，该技术可维持镁光在行业成本方面的领先地位。”176层NAND代表镁光的第五代3D NAND和第二代替换门架构，目前这个产品是市场上技术最先进的NAND节点。行业人士表示，镁光的新NAND闪存与该公司的上一代大容量3D NAND相比，176层NAND将读取延迟和写入延迟提高了35％以上，从而极大地提高了应用程序性能，176层NAND紧凑型设计比同类最佳竞争产品小30％的裸片尺寸，是使用小尺寸解决方案的理想选择。镁光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“镁光的176层NAND为我们的客户带来了突破性的产品创新，我们正在我们广泛的产品组合中部署这项技术，以在使用NAND的任何地方带来价值，瞄准5G、AI、云计算和智能边缘领域的增长机会。”镁光的176层NAND具有通用的设计和无与伦比的密度，是技术专家工具箱中各个部门的重要组成部分，这些部门包括移动存储，自治系统，车载信息娱乐以及客户端和数据中心固态驱动器。除了创新的技术，镁光公司的176层NAND提供改进的服务质量，这是数据中心SSD的关键设计标准，可以加速数据密集型环境和工作负载，例如数据湖，人工智能引擎和大数据分析。对于5G智能手机，增强的QoS可以更快地启动和跨多个应用程序进行切换，从而创建更加无缝和响应迅速的移动体验，并实现真正的多任务处理和5G低延迟网络的充分利用。镁光的第五代3D NAND在开放NAND闪存接口总线上还具有业界领先的最大数据传输速率，每秒1600兆传输MT / s，提高了33％。4提高的ONFI速度可加快系统启动和应用程序性能。在汽车应用中，这种速度将在引擎启动后立即为车载系统提供接近即时的响应时间，从而增强了用户体验。据悉，目前镁光正与行业开发商合作，以将新产品快速集成到解决方案中，为了简化固件开发，镁光公司的176层NAND提供了单程编程算法，从而使集成更容易并加快了上市时间。随着摩尔定律的放慢，镁光在3D NAND中的创新对于确保行业能够跟上不断增长的数据需求至关重要。为了实现这一里程碑，镁光科技将其堆叠式替换门架构，新颖的电荷陷阱技术和CMOS阵列下的CuA 5技术独特地结合在一起。镁光的3D NAND专家团队利用该公司专有的CuA技术取得了飞速进步，该技术在芯片的逻辑上构造了多层堆栈-将更多的内存封装在更紧凑的空间中，并大大缩小了176层NAND的芯片尺寸，每片晶圆产生更多的千兆字节。同时，镁光通过将其NAND单元技术从传统的浮栅转变为电荷陷阱技术，提高了未来NAND的可扩展性和性能。该电荷陷阱技术与镁光的替换门架构相结合，该架构使用高导电性金属字线而非硅层来实现无与伦比的3D NAND性能。镁光公司采用该技术还将使该公司能够实现积极的，行业领先的成本削减。利用这些先进的技术，镁光科技的耐用性得到了提高，这在写密集型用例中特别有益-从航空航天黑匣子到视频监控录像。在移动存储中，176层NAND的替换门体系结构可将混合工作负载性能提高15％，以支持超快边缘计算，增强的AI推理和图形丰富的实时多人游戏。据了解，镁光的176层三层单元3D NAND已在Micron的新加坡工厂量产，并已通过其Crucial消费类SSD产品线运送给客户，该公司将在2021年日历期间推出基于该技术的其他新产品。如今，三星量产的是第六代NAND闪存是128层，第七代的闪存将达到176层，也就是三星176层闪存，第七代NAND闪存采用了“双堆栈”技术，这是一种可以将通孔分成两部分的，以便电流通过电路的方法。堆栈层数的增多也会带来工艺的进步，这也是目前的一大技术难点。据了解，2020年6月，三星宣布投资约9万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的2号线建设新的NAND闪存芯片生产设施，以扩大NAND闪存的生产线，并预计该设施将于2021年下半年投入运营。但是，目前三星并没有宣布量产第七代NAND闪存芯片。尽管在先进技术上稍微落后于镁光科技，但是三星才是闪存领域的大佬。据相关数据统计，在NAND闪存市场上，2019年三星以165.17亿美元的销售额占据全球市场的35.9%，这个市场份额无疑是遥遥领先。因为176层是未来数年的行业趋势，闪存领域的巨头们都在行动，当然也包括SK海力士咯，SK海力士还是停留在128层闪存领域，但是据说是 4D 的NAND闪存，针对企业级的数据中心和专业级市场。SK海力士只是透露，它们正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存，但是何时量产，尚未有确定的消息。铠侠和英特尔方面，虽然也想抢占176层或者以上的市场，但是英特尔还是集中研发144层3D NAND闪存，尚未有176层消息，铠侠仍集中128层的研发。包括中国的长江存储也是在128层领域持续发力。为何这些闪存芯片企业都在集中精力研发高层的闪存芯片，这涉及到芯片的存储密度和成本、容量等需求，未来176层的芯片可能会霸占一定份额的大容量市场。
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