南亚科第3季亏损扩大，税后净损新台币25.05亿元。总经理李培瑛表示，第4季产品售价及位元出货量可望改善，亏损有机会缩小。

南亚科公布第3季营运结果。南亚科第3季销售量季增高十位数百分比（17%至19%），动态随机存取存储（DRAM）售价下滑高个位数百分比（7%至9%）；第3季营收77.36亿元，季增10.1%。

南亚科第3季毛损率25.2%，税后净损25.05亿元。第3季持续减产、价格下滑以及所得税利益减少，是导致亏损扩大的主因。

展望未来，第4季产线维持动态减产20%以内。观察需求已经落底，第4季服务器市场可望改善，中国手机市场销售也有机会回升，位元出货量应可进一步改善。

至于产品售价，DDR5价格已经回升，DDR4和DDR3价格有机会稍微调涨，预期第4季亏损可望较第3季缩小。

制程技术进展，目前已完成第1代10nm制程开发，考量市况低迷，将直接推进第2代10nm制程技术，希望明年第2季进行产品验证。

华为曾是南亚科客户，李培瑛表示，南亚科曾提出销售DDR4许可，但未获批准。至于三星和SK海力士的中国厂获无限期豁免使用美国设备生产芯片，他认为，对于DRAM市场并不会有重大影响，因为三星和SK海力士的中国厂生产并未受到美国禁令影响。

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