台湾存储厂商华邦电、南亚科、旺宏等强势表态，公司上修2023年 DRAM 和 NAND 需求量增长，显示终端市场逐渐乐观。

数据显示，第4季 DRAM 合约价有望环比增长3%至8%，而 NAND 合约价则有望环比增长8%至13%。市场主要成长动能将来自于消费性产业，显示该行业可能会在未来几个季度内出现回升。

展望2023年第4季，存储大厂中，三星减产幅度扩大至50%；SK海力士减产幅度至20%；另外美光于第3季发布会中，表示减产将持续至2024 年。根据分析，上述原厂减产效益于第3季底已开始陆续显现，第4季供给将加大收敛。

在存储需求方面，OEM／ODM 厂锁定今年下半年欧美感恩节及耶诞节前购物旺季，以及明年初中国农历春节购物需求，开始重新启动拉货需求，带动 DRAM、NAND Flash 等报价'>存储报价上涨。

美光也预测，2023年 DRAM 和 NAND 位元需求量将上修，原因包括客户库存水准趋于正常、产品容量提升以及AI相关应用的带动。

南亚科则表示，近期消费性产业需求相对稳健，中国手机市场需求预计在第4季度回升，同时新的PC产品推出将有助于带动高阶产品需求。

即便市场需求回温，业界仍预期，全球存储大厂不会在今年就盲目增加投片量，最快可能至明年第1季底或第2季初才会重启扩产。

华邦电自2022第1季起中科厂采取不同程度的减产行动，2022第4季-2023第1季间最高减幅逾30%，2023第3季预估仍减产15-20%，第4季或略有改善。

华邦电预期自2024年第2季起 DRAM 部门可望转亏为盈。

点击此处关注，获取最新资讯！