NOR Flash的发展史已经有32年了，它相对于NAND Flash的优势是体积小、成本更低，同时传输速率快，但是不足是大容量制作的成本更高，所以人们对NOR Flash的印象停留在低容量。其实不然，随着技术的进步，NOR Flash也能在特定领域做出大容量产品，同时优势不输给NAND Flash，比如兆易创新推出的2Gb的SPI NOR Flash系列产品。

近日，兆易创新推出容量在512Mb—2Gb的SPI NOR Flash系列产品，据悉，该产品支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI、Xccela规格高速8通道，这些产品面对的是高容量存储、超高速数据吞吐量、高可靠性等领域，应用在车载、AI、5G和工业等。

和以往的印象不同，NOR Flash也能有大容量产品，大容量高性能NOR Flash可以用来存储系统代码及应用数据，具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性。5G和工业及车载应用要求对大容量代码存储保持高可靠性和高速读取性能，AI应用需要高速加载代码，在短时间内及时调用存储的算法进行运算，IoT应用对Execute-In-Place的需求越来越大，需要在最短时间内完成指定代码数据的读取。

随着应用的扩展，代码的复杂性也显著加大，这对于闪存的容量也提出了更高的需求。大容量、高性能GD25/55 B/T/X SPI NOR Flash系列产品将凭借自身超大容量、高速读取性能与高可靠性等优势大放异彩。据兆易创新介绍，GD25X/55X和GD25LX/55LX产品系列是国产首款超高速8通道SPI NOR Flash产品，最高时钟频率达到200MHz，数据吞吐率达到业界最高水平的400MB/s。产品技术参数符合最新的JEDEC xSPI以及Xccela联盟的标准规范。

除了兆易创新，武汉新芯集成电路也在5月推出了NOR Flash产品，产品采用50nm Floating Gate工艺制造，SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC产品容量覆盖16Mb到256Mb，该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP操作。

XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持Known Good Die 解决方案，并为客户提供RDL服务，满足客户定制化的SiP需求。

“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”

据了解，武汉新芯集成电路制造有限公司成立于2006年，为全球客户提供专业的12英寸晶圆代工服务，专注于NOR Flash和CMOS图像传感器芯片的研发和制造。

虽然目前NOR Flash市场仍是国外厂商的主战场，但是国内如兆易创新和武汉新芯的NOR Flash产品已经在逐步扩大影响力，角逐全球市场。

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