半导体封测大厂南茂第4季业绩可望较第3季成长，毛利率可维持第3季水准，第4季存储器封测成长幅度可高于面板驱动IC封测，明年整体业绩表现可较今年好。

南茂董事长郑世杰昨天表示，第3季受惠NAND型快闪存储器（NAND Flash）新品封测成长，此外高毛利面板驱动与触控整合单芯片（TDDI）封测营收增加，带动整体毛利率表现，测试稼动率提升到75%，也改善第3季毛利率表现。

在有机发光二极管（OLED）面板驱动IC部分，郑世杰指出，相关玻璃覆晶封装（COG）和薄膜覆晶封装（COF）业绩虽然占比仅4%，不过预期OLED应用在智能手机可望持续成长。

展望第4季存储器封测，南茂表示，动态随机存取存储器（DRAM）客户消化库存，需求略增；NOR型快闪存储器客户需求逐渐增加；NAND型快闪存储器客户需求增加，新业务专案稳定成长。

在面板驱动IC封测部分，南茂指出，大尺寸面板应用在电视等库存水位较高，需求较为疲弱；小尺寸面板应用在智慧型手机需求强劲；TDDI持续在HD等级面板扩大采用；OLED产品规模逐渐成长。

郑世杰表示，产业状况改善、美中贸易摩擦缓和，加上新智能手机推出，尽管电视面板库存仍高、市场需求疲弱，不过预期第4季存储器成长幅度，可高于驱动IC，高端产品测试量增加，预估南茂第4季封测业绩可持续成长，当季订单审慎乐观。

法人问及第4季毛利率表现，郑世杰预期，第4季毛利率可与第3季相当。

展望明年，郑世杰预期存储器封测仍可持续成长，预估明年整体状况可较今年好。

在资本投资部分，郑世杰表示，南茂持续投资快闪存储器封测机台，由于OLED面板IC测试时间长，目前有规划增加投资，不过还没有付诸实现。南茂预期，今年全年资本支出约占整体营收比重约25%。