历经市场库存去化，DRAM、NAND Flash 价格已回稳，又以 NAND 涨势较可期，业者看好，第 4 季 DRAM 价格将持平或小幅上涨，且在需求稳定成长下，明年首季价格有机会反弹；NAND Flash 则受惠市场库存去化至健康水位，加上需求续强，年底前价格仍持续看涨，整体而言，明年记忆体市况可望走出今年低谷，逐步攀扬。

DRAM 厂南亚科第 3 季受惠各应用市场区块旺季，需求增加，位元销量超越原先预估，也因此上调全年位元销售量目标，由原先 1-3%，调升至 11-13%。

展望本季，南亚科表示，DRAM 供需平稳，估第 4 季价格将持平或小幅上涨，位元出货量则有机会持平上季、或小幅减少；目前云端伺服器需求逐渐增加，手机新机搭载量也成长，PC 出货量下半年估优于上半年，消费型电子产品需求则持稳。

展望明年，南亚科总经理李培锳指出，全球经济景气仍有不稳定现象，但 DRAM 大厂库存已去化至健康水位，加上大厂持续调节库存，明年资本支出也相对保守，有机会带动明年价格反弹，但确切的时间点，得视大厂库存去化情形，他认为，最快明年第 1 季就可望出现价格反弹力道。

NAND Flash 市况方面，记忆体模组厂威刚认为，随着资料中心库存回复正常，需求可望逐步回温，看好 NAND Flash 需求将持续强劲，在 SSD 平均容量与市场渗透率快速提升，及手机搭载容量成长支撑下，价格稳定态势有机会延续至第 4 季。

而群联也看好，目前 NAND 原厂价格仍维持涨势，且系统厂因应年底销售旺季及美国关税问题，10 月起预计将展开新一波补货潮，NAND Flash 需求可望续扬，价格也有机会一路维持涨势至年底。