数据中心需求强劲,上季NAND Flash营收季增8.5%

转载: 集邦 2020-02-24
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受惠于数据中心需求成长,去年第四季NAND Flash整体位出货量季增近10%,供给面受去年6月铠侠(Kioxia,前东芝內存)四日市厂区跳电影响,供不应求使得合约价止跌回涨。整体而言,去年第四季整体产业营收较第三季增长8.5%达125亿美元规模。

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由于需求面在去年第四季表现优于预期,供应商库存水位已恢复正常,因此减少对渠道市场NAND晶圆(Wafer)供应量,并着重于较高毛利的产品出货。展望今年第一季,考察新冠肺炎疫情可能影响手机及笔电供应链,或将造成NANDFlash位出货量小幅衰退或持平。然而,考虑到合约价上涨幅度,预期产业营收可望与上季持平。

在各主要NAND Flash原厂动态部份,由于数据中心需求在去年第四季快速成长,加剧固态硬盘SSD)供不应求态势,带动三星的位出货季增近10%,平均销售单价亦有所成长是因为合约价调涨及显着减少对渠道市场供货。三星今年持续减少Line12的平面制程产能,主要的扩产来自大陆西安二期工厂。

铠侠产能自跳电事件后恢复,以及数据中心与SSD需求增长,上季度位出货成长近10%。铠侠岩手县的K1厂将于今年上半年起贡献产出,用以投入96层及112层产品制造,但新增产能主要用以填补四日市厂区层数提升所衍生的产能损失,整体的投片规模仍维持不变。

美光去年第四季受惠于MCP产品出货持续攀升,以及SSD强劲需求,季度位出货季增近15%。在产能方面,美光今年的产能规画偏向保守,新加坡新厂的无尘室空间主要用以维持现有产能水准。美光今年将着重于新的制程以及构架,128层3DNAND产品预计将于下半年进入量产。

英特尔同样受惠数据中心的强劲需求,在产能与制程方面,英特尔大连厂仍维持现有产能,目前受疫情冲击较小。在制程方面,英特尔将继续投入144层产品的开发,预计下半年量产。

SK海力士受惠手机及数据中心需求增长,去年第四季位出货季增10%。今年因为缩减平面制程产能转做3D NAND,预计今年年底的产能将较年初下滑。在构架方面,预计128层3D NAND产品能够在第一季正式量产。

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