本月举行的IEDM 2023会议上，台积电制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线。

1万亿晶体管是来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合，但台积电也在致力于开发单个芯片2000亿晶体管。

为了实现这一目标，该公司重申正在致力于2nm N2 和N2P生产节点，以及1.4nm A14 和1nm A10工艺，预计2030年完成。

台积电预计封装技术（CoWoS、InFO、SoIC 等）将不断取得进步，使其能够在2030 年左右构建封装超过1万亿个晶体管的大规模多芯片解决方案。

台积电重申，2nm级制程将按计划2025年开始量产。

台积电2024年将其3nm晶圆厂产能提高到每月10万片晶圆，但可能无法满足除苹果以外的客户对该节点的需求。

由于芯片制造商面临技术和财务挑战，前沿工艺技术的发展近年来有所放缓。

台积电与其他公司面临着同样的挑战，但这家全球最大的代工厂有信心，随着台积电推出，在未来五六年内，它能够在性能、功率和晶体管密度方面推进其生产节点其2nm、 1.4nm和1nm节点。

Nvidia的800亿晶体管GH100是市场上最复杂的单片处理器之一，根据台积电的说法，很快就会有更复杂的单片芯片，拥有超过1000亿个晶体管。但构建如此大型的处理器变得越来越复杂和昂贵，因此许多公司选择多芯片设计。

例如，AMD的Instinct MI300X和英特尔的Ponte Vecchio由数十个小芯片组成。 

这种趋势将持续下去，几年后，我们将看到超过一万亿个晶体管组成的多芯片解决方案。 

台积电已暂定2024年至2029年生产计划，涵盖2nm，主要在北部宝山和南部高雄的新工厂生产，而中部的台中厂则专注于1.4nm或更先进工艺制造。

台积电除了计划在南科园区（STSP）扩建3nm晶圆厂，在新竹科学园区（HSP）宝山建设2nm晶圆厂，还有在竹南（北部苗栗）扩建先进封装晶圆厂的计划。

嘉义等城市正在接受评估，因为台积电在新竹科学园区（HSP）铜锣厂区建造先进封装工厂的计划已被修改，该工厂最初预计将于2027年进入商业生产。

一旦扩展的中部科学园区落地可用，台积电可能会开始评估建立新制造设施来制造2nm或A14工艺的可行性。

此时，宝山工厂一期将作为其最初的2nm制造基地，预计到2025年，该工厂的二期工程及其新的高雄工厂将投入生产2nm芯片。

台积电2nm以下的产能将由南科园区、宝山、高雄和中部科学园区晶圆厂来处理。

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