力旺携手联电推新兴非易失性内存ReRAM IP核

2021-11-05
阅读量 2719


11月5日消息,力旺电子与联电宣布,力旺电子的可变电阻式内存(ReRAM)矽智财(台湾地区用语,意为半导体知识产权核,即业界常提及的「IP核」,闪德君注)已成功通过联电40纳米认证,支持消费性与工业规格之应用。

ReRAM是一种新兴的非易失性内存 (NVM) 技术,具有结构简单、容易在晶圆代工厂生产并整合至CMOS平台以及满足高速低功耗运作等诸多优点。力旺的ReRAM可为微控制器和电源管理IC提供代码储存(code storage)功能、为低功耗或便携式物联网设备中提供查找表(lookup table),并进一步应用于内存内计算(CIM)与AI等领域。



点击此处关注获取最新资讯!

f328f6db93164f84bb23c090c28e7db.png88c1a0acd98aa6023fcbfa1f2ebf421.png


1.本文整理自网络,如有侵权,请联系删除。

2.所刊内容仅代表作者观点,非闪德资讯立场。

我的评论

登录后评论

最新评论

渠道报价
查看更多

D4/32G-DDR 4

  • 一年
  • 半年
  • 三个月
  • 一个月

微信订阅

APP下载

存储未来,赢得先机

18126200184

Copyright©2008-2024 闪德资讯 版权所有 粤ICP备18080549号-1

粤公网安备 44030402002744号