1. SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
2. 存储芯片制造商恒烁股份拟登陆科创板
3. 开工半年的台积电美国5nm工厂，现在长这样
4. 闪存芯片厂商深圳市德明利递交深交所IPO申请
10月20日消息，SK海力士宣布业界首次开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。HBM3是第四代HBM技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，可进一步提高数据处理速度。HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。据了解，SK海力士去年7月在业界首次实现批量生产HBM2E DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3。SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。为实现24GB的业界最大的容量，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。据上交所披露，正式受理恒烁半导体（合肥）股份有限公司 科创板IPO申请。成立于2015年的恒烁股份，是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。据了解到，恒烁股份现有主营产品包括NORFlash存储芯片和基于ArmCortex-M0+内核架构的通用32位MCU芯片；同时，该公司还在致力于开发基于NOR闪存技术的存算一体终端推理AI芯片。恒烁半导体本次拟发行股份不超过2066万股，占本次发行后总股本的比例不低于25%。本次发行的股份全部为公开发行新股，不涉及股东公开发售股份的情形。本次募集资金用于项目及拟投入的募资金额为：NOR闪存芯片升级研发及产业化项目，募集资金投入金额约2.03亿元；通用MCU芯片升级研发及产业化项目，募集资金投入金额约1.77亿元；CiNOR存算一体AI推理芯片研发项目，募集资金投入金额约1.23亿元；发展与科技储备项目，募集资金投入金额2.50亿元。本次股票发行后拟在上交所科创板上市。据悉，自成立以来，恒烁的经营模式一直是Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现，晶圆代工主要向武汉新芯采购，相关采购金额占比大致在6-8成之间。近日，美国消费者新闻与商业频道（CNBC）实地探访了台积电正在美国建设的5纳米工厂。从现场画面看，这座已经规划一年半、开工6个月的工厂，似乎仍然处于初期的施工阶段，而美国政府承诺给台积电的补贴至今尚未落实。目前，拜登政府已经提议为台积电等芯片公司在美国本土建厂提供520亿美元的补贴。行业报告预计，美国政府将投资约500亿美元，在未来10年在美国建造19座晶圆厂，使美国本土芯片制造能力翻一番。目前，5纳米是世界上最先进的芯片制程，英特尔等美国公司尚未量产这一节点，而台积电的到来有望改变这种情况。不过，从现场画面来看，在宣布建厂1年多后，台积电亚利桑那工厂仍处于初期施工阶段。但日经新闻日前曾尖锐指出，目前距台积电宣布在美建厂已过去1年半以上，美国众议院的相关法案连补贴内容都没有纳入，审议也没有进展，给台积电的补贴完全无法落实。对于向海外企业提供巨额补贴，美国国内也存在反对声音。据华尔街见闻消息，闪存主控芯片厂商深圳市德明利技术股份有限公司日前递交深交所IPO申请，东莞证券为主承销商。招股书显示，德明利主要从事集成电路设计、研发及产业化应用，业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发，存储模组产品应用方案的开发、优化，以及存储模组产品的销售。产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组。公司还在人机交互触控领域完成初步业务布局，目前已完成自研触摸控制芯片投片。（以上消息源自：财联社、科创板日报、华尔街见闻、证券时报、环球时报等）
点击此处关注，获取最新资讯！
我的评论
最新评论