力晶:美国力阻中国发展DRAM内存,明年内存恐缺货涨价

转载: 超能网 2018-11-29
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台湾台湾半导体协会昨天举行2018 TSIA年会,邀请了台湾半导体行业内的大腕出席,其中台积电联席CEO魏哲家主持会议,还有联发科董事长蔡明介、联电总经理简山杰、力晶执行长黄崇仁等,其中力晶创始人、执行长黄崇仁谈到了内存产业的一些动向,包括未来的内存价格以及美光晋华之间的专利纠纷。据他了解美国司法部起诉晋华公司就是阻碍中国DRAM产业发展,制裁晋华之后中国将不会有任何DRAM长产能崛起,而三星、SK Hynix、美光三家公司已经决定不再扩充内存产能,预计明年下半年内存又会开始缺货。

在全球DRAM内存领域,三星、SK Hynix及美光三大巨头占据了95%以上的份额,他们之外的第四到第六大DRAM厂商分别是台湾的南亚科、Winbond华邦科技及Powerchip力晶,力晶的全球分为为0.3%。钜亨网报道称, 在TSIA年会上,力晶创始人、执行长黄崇仁也谈到了内存领域的几个热点事情,比如美光与中国晋华公司之间的专利纠纷等。

对于美光、晋华的专利纠纷,黄崇仁表示他所了解的美光,就是要确保中国不能发展DRAM,且可确定的是,在此事件过后,中国将不会再有任何DRAM 厂能崛起,Flash(闪存)则另当别论。

至于明年的DRAM内存走势,黄崇仁认为福建晋华案之前,全球DRAM大厂怕晋华产能加入内存市场后,市场产能过剩,因此三星、SK海力士与美光三大厂,多决定不扩充产能,在明年市场没有太多新产能开出下,下半年可预期将会很厉害,DRAM又会开始缺货。

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2018-12-03

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