三星电子两年来首次季度盈利下滑某种程度上正式宣告了为期两年的芯片超级周期的结束。

全球最大的芯片和智能型手机制造商三星电子周二称，公司 2018 年最后三个月的营业利润为 10.8 兆韩元 (合 96.5 亿美元)，年增率下降 28.7%，较第第三季 17.5 兆韩元的创纪录高点下降 38.5%。第第四季销售额估计为 59 兆韩元，年增率下降 10.6%。这是公司 2 年来首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超级周期结束而盈利受损的公司。此前，储存芯片巨头镁光季度销售及利润皆大幅低于市场预期，公司称整个储存芯片行业产出（包括三星 SK 海力士）大大超出市场需求，其将采取果断行动，减产稳价格。 而三星更是发出警告，称持续两年的行业景气周期已经到头。

储存芯片此前经历了 2 年的景气行业。从 2016 年下半年开始，全球储存芯片进入了新一轮的旺季，DRAM、NAND 价格从那时候起大幅上涨，一直持续到 2018 年。

这其中，智能型手机储存容量增大（内存军备竞赛）、AI 人工智能、无人车、机器学习、深度学习等新兴技术对于储存芯片的额外需求预期（AI 训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加）是本轮上行周期背后的重要推手。

从芯片周期角度而言，上次行业经历如此程度的暴跌还要追溯到 2015 年。但本轮下跌与 2015 年又有所不同。

在 2015 年，对于需求端疲弱的担忧主导了上轮储存芯片的大幅回调。2015 年是智能型手机高增长期的分水岭——自 2010 年开启的智能型手机高增长期基本结束。而当年苹果 iPhone 也处于周期的低点，销量放缓加剧市场的恐慌情绪。

而本轮下跌则是需求不振叠加产量过剩。贸易冲突则加剧了市场的恐慌情绪。

在需求端方面，新的智能型手机硬件规格难以吸引换机需求（以苹果为代表）、消费级的 PC 市场由于 Intel CPU 的供货不足出货不振。而诸如 AI、无人车等新兴技术则由于技术限制，大规模场景应用还需时日，市场期望需求放缓。

而在供应端方面，新技术的良品率提高及产能的扩充使得市场供大于求：64/72 层 3D NAND 的良品率和产能增长使得供应大幅攀升，野村证券预测闪存芯片供应将增长 40% 到 50%；DRAM 1X/1Y 制程的比重持续增加和良品率的稳定提升使得 DRAM 整体供应有望增长 22%。

摩根士丹利研究认为，从半导体周期历史角度，市场通常经历 4-8 个季度下行周期，然后再经历 4-9 个的上行周期。

鉴于 DRAM 合约价格已经在 2017 年 9 月见顶，摩根士丹利认为本轮下行周期已经进行了一半。整体下行趋势在未来的 2-3 个季度里还将继续持续。这将导致相关公司的营收继续下滑。

这意味着至少要到 2019 年年中才能有望看到复甦的迹象。而随着未来经济增长的放缓，去两年推动该行业发展的超常增长因素在下一个上升周期可能不会那么强劲。