SK海力士希望在HBM、CXL、PIM市场保持领先地位，计划2024年启动HBM4研发并推动CXL内存商业化。

随着明年HBM3E的量产和销售，公司市场主导地位将提升。

CXL是一种基于PCIe的集成接口技术，用于连接内存和中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）和加速器等各种设备。

使用基于PCIe的CXL，可以通过添加模块来显着增加内存容量和带宽。CMS 2.0是将计算功能集成到CXL内存中的解决方案。

HBM继续保持第一

HBM是一种高性能产品，通过垂直连接多个DRAM，与现有DRAM相比，显着提高了数据处理速度。 

HBM继第一代(HBM)、第二代(HBM2)和第三代(HBM2E)之后，正在供应第四代(HBM3)产品，并计划从明年开始批量生产第五代(HBM3E)。

SK海力士今年保持了相对于HBM的竞争优势，并有信心明年的竞争优势将继续下去。

SK海力士表示随着明年 HBM3E 的量产和销售计划，我市场主导地位将再次最大化，HBM4 的开发后续产品也计划于明年正式启动。今年将是SK海力士的HBM进入新阶段的一年。

随着AI产业的快速发展，HBM产品将超越目前的AI服务器，扩展到与AI相关的各个领域。

SK海力士宣布正在通过引入先进技术率先提高性能。 

2013年，公司在全球首次利用TSV（Through Silicon Via）技术在DRAM芯片之间创建数千条数据移动路径，实现了高容量、高带宽的HBM，随后又实现了MR-MUF（Mass Reflow） -Molded UnderFill) 技术。

通过堆叠和封装DRAM芯片提高了生产率，最近开发了先进的MR-MUF，以创建更小尺寸的高容量封装并提高散热性能。

基于该技术，去年8月完成了全球性能最高的HBM3E的开发，并向客户提供了样品。该产品的每引脚处理速度超过每秒9.2Gb，数据吞吐量达到每秒1.15TB。容量与12层HBM3相同，但层数较少，为8层。这意味着在开发时可以保证更多的容量。

SK海力士计划明年重点关注CXL的商业化。

SK Hynix表示计划在明年上半年完成客户认证，重点关注96GB和128GB产品，并在下半年将其商业化。应用该技术的客户CXL 2.0内存扩展解决方案可以享受最大的预期带宽增加50%，容量扩展可能高达50-100%。

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