西数（Western Digital）24 日宣布，成功开发出第 5 代 3D NAND Flash 的技术 BiCS5，未来将持续提供业界最先进的快闪记忆体技术，维持其领导地位。

Western Digital 指出，BiCS5 采用 3 层单元（TLC）与 4 层单元（QLC）两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性，满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求。目前，Western Digital 已开始生产 512Gb 的 BiCS5 TLC，并预计在 2020 年下半年就能开始商业化量产，供应采用新技术的消费性产品。未来，BiCS5 TLC 与 BiCS5 QLC 将提供包括 1.33Tb 等多样的储存容量选择。

Western Digital 进一步指出，随着下一个十年的到来，如何增加 3D NAND Flash 容量以满足庞大且快速增长的资料量需求是重要关键。藉由成功开发 BiCS5，Western Digital 展现了领先业界的快闪记忆体技术，及强大的计划执行力。Western Digital 利用更先进的多层储存通孔（multi-tier memory hole）技术来增加横向储存密度，同时透过增加储存层让 3D NAND Flash 技术的容量与效能显著提升，以满足客户对稳定性与低成本的期望。

采用多种新技术与创新制造工艺的 BiCS5 是 Western Digital 目前密度最高、最先进的 3D NAND Flash 技术。第二代多层储存通孔技术、优化的工程设计流程及其他先进的 3D NAND Flash 储存单元技术大幅提升了晶圆的横向储存单元阵列密度。此外，BiCS5 拥有 112 层垂直堆叠的储存容量，使每晶圆的储存容量比 96 层的 BiCS4 高出 40% ，可达到最佳成本。新架构设计也为 BiCS5 挹注更高效能，使其 I/O 效能较 BiCS4 提高 50%。

Western Digital 最后强调，BiCS5 是由 Western Digital 与技术制造合作伙伴 Kioxia 共同开发，将于日本三重县四日市及岩手县北上市的合资晶圆厂制造。